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充电桩芯片第一股！东微半导登陆科创板，市值近百亿元

发表于：2024-11-03 作者：创始人

编辑最后更新 2024年11月03日，芯东西 2 月 10 日报道，今天，国产功率半导体厂商东微半导（股票代码：688261）以发行价 130 元 / 股登陆科创板。开市后，东微半导股价有所上涨，最高涨至 148 元 / 股，之后有所回落

芯东西 2 月 10 日报道，今天，国产功率半导体厂商东微半导（股票代码：688261）以发行价 130 元 / 股登陆科创板。

开市后，东微半导股价有所上涨，最高涨至 148 元 / 股，之后有所回落。截至芯东西成文，东微半导报 138 元 / 股，涨幅 6%，总市值 92 亿元。

东微半导的产品主要应用于工业及汽车等中大功率应用领域，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，曾打破外国厂商充电桩用高压超级结 MOSFET 器件垄断，被《人民日报》所报道。

根据市场咨询公司 Omdia 数据，以 2019 年 MOSFET 功率器件销售额计算，东微半导在中国本土厂商中排名第七。报告期内，东微半导营收持续增长，2018 年-2021 年上半年各期营收分别为 1.53 亿元、1.96 亿元、3.09 亿元和 3.21 亿元。

由于东微半导股权较为分散，不存在控股股东，其实际控制人为公司联合创始人王鹏飞和龚轶。

▲ 东微半导股权结构

本次 IPO，东微半导计划募集资金 9.39 亿元，将分别用于"超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化"、"新结构功率器件研发及产业化"、"研发工程中心建设"和"科技与发展储备资金"4 个项目。

▲ 东微半导募集资金投资情况

01. 创始人研究登 Science，直流充电桩产品打破国外厂商垄断

东微半导的前身东微有限设立于 2008 年 9 月，注册资本 10 万元，两位联合创始人王鹏飞、龚轶分别认缴 5.5 万元和 4.5 万元。

王鹏飞和龚轶两人均曾在国外留学，并就职于 AMD、英飞凌等国际芯片巨头。王鹏飞为德国慕尼黑工业大学博士，曾在英飞凌存储器研发中心担任研发工程师，2006 年 5 月担任奇梦达技术创新和集成部门研发工程师。

2008 年 9 月，王鹏飞和龚轶联合创办了东微有限；2009 年 6 月，王鹏飞成为复旦大学微电子学院教授，并于 2013 年研制出全球首个半浮栅晶体管（SFGT，Semi-FloatingGate Transistor），文章发表在顶级学术期刊 Science 上，这是我国微电子领域研究首次登上 Science，新闻联播和人民日报、青年报等都对此有所报道。2021 年 4 月至今，王鹏飞任东微半导首席技术官。

龚轶则为英国纽卡斯尔大学硕士，曾先后在 AMD、英飞凌任工程师和技术专家；2020 年 11 月至今，龚轶任东微半导董事长兼总经理。

▲ 东微半导董事长、总经理龚轶

2016 年 4 月，东微半导自主研发的 650V、80A 快恢复 GreenMOS 产品实现量产，并进入直流充电桩领域，打破了这一领域国外厂商的垄断。

02. 半年收入破 3 亿，产品性能比拟氮化镓器件

报告期内，东微半导营收持续增长，2018 年-2020 年其营收分别为 1.53 亿元、1.96 亿元和 3.09 亿元，复合增长率为 42.11%。2021 年上半年，东微半导营收为 3.21 亿元，超过 2020 年全年营收。

利润方面，东微半导 2018 年-2020 年净利润分别为 1297.43 万元、911.01 万元和 2768.32 万元。2021 年上半年，东微半导净利润达 5180.53 万元。

▲ 东微半导 2018 年-2021 年上半年营收与净利润变化

主营业务上，东微半导的主要收入来源为高压超级结 MOSFET 器件，2018 年-2020 年该产品收入占比均超过 80%。其产品主要分为 MOSFET 和 IGBT 两类，其中 MOSFET 产品分为高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET 和超级硅 MOSFET 三类，其 IGBT 产品则采用了不同于国际主流自研的 TGBT 器件结构。

2020 年，东微半导 IGBT 产品尚未实现营收。

▲ 2020 年东微半导主营业务收入占比

具体来说，东微半导的高压超级结 MOSFET 工作电压在 400V 以上，可用于工业 LED 照明、新能源汽车充电桩等，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点；其中低压屏蔽栅 MOSFET 器件一般工作电压覆盖 25V-150V，主要应用于电池保护、电机驱动器等；东微半导的 IGBT 产品工作电压包括 600V-1350V，适用于新能源汽车充电桩、变频器、逆变器、电机驱动、电焊机、太阳能等领域。

▲ 东微半导产品与应用范围

东微半导的超级硅 MOSFET 则是其自主研发，对标氮化镓功率器件的产品。招股书称，通过调整器件结构、优化制造工艺，其超级硅 MOSFET 产品突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。

相比氮化镓功率器件，该产品具有工艺成熟度高、成本低、可靠性高等优势，且东微半导正在推进超级硅系列产品在 12 英寸产线上的量产。

▲ 东微超级硅 65W PD 快充 DEMO 与苹果 30W 充电器体积对比（来源：东微半导）

报告期内，东微半导的前五大客户包括凯新达电子、睿创电子等，主要以经销商为主，其主要终端客户包括客户 A、高斯宝电气、永联科技、柏怡电子、明纬电子等。

▲ 东微半导 2018 年-2021 年上半年前五大客户

由于东微半导采用 Fabless（无晶圆厂）模式，不直接从事芯片的生产和加工环节，其主要采购内容为晶圆与封测服务。

报告期内，华虹半导体为其主要的晶圆供应商，2018 年-2020 年东微半导对华虹半导体的晶圆采购金额占总采购金额比例均在 80% 以上。东微半导的主要封测服务供应商则为天水华天，报告期内其采购金额占比在 10% 以上。

▲ 东微半导 2018 年-2021 年上半年前五大供应商

03. 本土 MOSFET 厂商销售额第七，研发人员占比 46%

在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌、德州仪器、安森美、意法半导体、亚德诺、高通、瑞萨电子等。

当前东微半导的主要收入来源为硅基 MOSFET 产品，单一产品类别收入的占比较高。在和行业龙头竞争时，东微半导在 IGBT、功率器件模块等方面的技术储备不足，品牌知名度和影响力均存在劣势。

▲ 全球前十大功率半导体厂商及销售额

同时，功率器件正不断朝第三代半导体材料方向发展，虽然东微半导已有碳化硅功率器件的样品，但在第三代半导体材料的研发布局上落后于国际巨头，未来存在竞争风险。

而在国内，东微半导是少数专注工业级高压超级结 MOSFET 领域的半导体厂商，其高压超级结 MOSFET 产品在 TO247 封装体内同时实现了 650V 耐压平台以及最低 14mohm 导通电阻的规格，在性能方面已接近国际先进水平。

2016 年 4 月，东微半导推出的 GreenMOS 系列超级结 MOSFET 产品打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位。根据 Omdia 统计，2019 年全球 MOSFET 销售额为 84.20 亿美元，东微半导 MOSFET 产品销售额为 2843 万美元，在本土厂商中排名第七，占全球 0.34% 的市场份额。

▲ 2019 年中国本土领先功率半导体厂商 MOSFET 功率器件全球销售收入

报告期内，东微半导的各期毛利率分别为 26.38%、14.93%、17.85% 和 26.75%。相比新洁能、华微电子、华润微、扬杰科技、士兰微等国内同行业可比公司，东微半导的毛利率变化趋势一致，但整体毛利率水平存在差异。

▲ 东微半导与同行业可比公司毛利率对比

招股书称，这主要是因为主营业务产品结构和生产经营模式不同，如华微电子、华润微和士兰微等可比公司采用 IDM 模式，不涉及晶圆的外部采购，毛利率受外部影响较低；而华微电子、华润微、扬杰科技和士兰微等可比公司产品种类相对较多，产品结构相对复杂，和东微半导专注 MOSFET 产品的经营策略有所不同。

值得注意的是，虽然东微半导研发人员占员工总数的比例达 46%，但由于公司规模较小，其研发人员人数为 31 人，低于很多国内同行业上市公司。

除首席技术官王鹏飞外，东微半导核心技术人员还包括研发总监刘磊、资深研发工程师刘伟和资深研发工程师毛振东。

刘磊硕士毕业于安徽大学电路与系统学院，2007 年 9 月至 2009 年 7 月，担任华润上华半导体科技有限公司技术转移部工艺整合工程师；2009 年 7 月加入东微有限。

刘伟本科毕业于南京邮电大学微电子学专业，曾在东莞奇力新电子有限公司、苏州可胜科技有限公司任工程师职务；2009 年 8 月，刘伟加入东微有限。

毛振东则为中国科学院大学集成电路设计学院硕士学历，曾在华晶电子集团、华润上华科技有限公司、苏州硅能半导体科技股份有限公司任职，2015 年 3 月加入东微有限。

报告期内，东微半导研发投入分别为 1603 万元、1202 万元、1599 万元和 1650 万元，占营收比例分别为 10.49%、6.13%、5.18% 和 5.14%。截至 2021 年 6 月 30 日，东微半导已获授权的专利有 53 项，包括境内发明专利 37 项、实用新型专利 1 项，以及境外专利 15 项。

▲ 东微半导研发投入与占比情况