NAND 闪存进入 200 层以上竞争，业内人士称三星西安工厂成定价关键

NAND 闪存厂商都准备在 2022 年底到 2023 年期间推出 200 层以上的芯片产品，这是行业向更高密度的 3D NAND 闪存过渡的里程碑。

据《电子时报》援引消息人士称，在这些供应商中，三星电子和美光科技可能是首批开始批量生产 200 层以上 3D NAND 闪存芯片的厂商。

该人士表示，三星在韩国平泽的新工厂于 2021 年下半年开始生产，并将在今年提高 176 层 3D NAND 芯片的产量。过渡到 176 层 3D NAND 闪存制造，预计将使三星新工厂的总产量在 2022 年提高到每月 5 万个晶圆。

此外，三星还计划在中国西安工厂扩大 128 层 3D NAND 芯片的产量。目前，该工厂正在建设第二期工厂，每月可生产 13 万至 14 万片晶圆。第一期工厂的月均生产量为 12 万个。

该消息人士认为，三星西安工厂将是决定其定价策略的关键，因为该工厂产量的大幅增加将有助于大幅降低供应商的整体生产成本。三星在晶圆厂的产量增加一倍以上的能力，也将为其未来的市场领导地位奠定基础。

此外，三星决定将其双层技术整合到其 176 层 3D NAND 制造工艺中，可以加速其向 200 层以上一代的过渡，并有助于扩大其相对于竞争对手的技术领先优势。

与此同时，据业内消息人士称，铠侠可能成为日本政府 68 亿美元半导体投资计划的受益者之一。政府的补贴可能会帮助铠侠在岩手县的北上进行扩建项目，在那里将建立一个新的 K2 工厂。铠侠在该地有一家 3D NAND 闪存工厂 K1。

铠侠尚未披露其向 200 层以上 3D NAND 工艺生产过渡的计划，但已宣布其与西部数据联合开发的 162 层 3D NAND。市场观察人士预计，铠侠将在 2022 年至 2023 年期间将 162 层 3D NAND 作为其主流制造工艺。

另外据报道，英特尔在其 3D NAND 闪存制造中采用了双栈的方法，消息人士称，该公司到 2023 年将推进到 196 层。

而美光早在 2022 年 1 月就宣布已开始批量出货其宣称业界首款 176 层 QLC NAND SSD 硬盘。公司此前表示，它将努力在整个行业的利润池中获得更大的份额，而非增长其在行业产量中的份额。

尽管进入 NAND 闪存市场较晚，但长江存储在提高 128 层 3D NAND 闪存的生产收益率方面取得了进展。据中国大陆业内消息人士称，长江存储已将 64 层 3D NAND 闪存制造的收益率提高到成熟水平。

消息人士称，长江存储有望在 2022 年上半年实现月产量增至 10 万片的目标。这家芯片制造商正努力进入中国一线品牌供应链，并将其目标市场扩大到包括手机和个人电脑应用。

据 chinflashmarket 预测，2020-2025 年，全球 NAND 闪存市场将以 30% 的复合年增长率增长，而数据中心市场在未来五年内将以 39% 的复合年增长率增长。