沟道 了解更多有关沟道的内容
-
西安交大团队超临界流体低温退火工艺研究成果在 IEDM 发表，有效制备高性能 SiC MOSFET 器件
为解决 SiC MOSFET 栅氧层界面质量差导致沟道迁移率低，使得沟道开态电阻过高，能源转换效率严重受限的技术瓶颈问题。西安交通大学微电子学院耿莉教授、刘卫华教授团队与西安电子科技大学郝跃院士共同合
2022-05-06 低温 工艺 西安 大学 教授 器件 超临界 交通 作者 沟道 电子 界面 论文 西安交通大学 成果 流体 研究成果 高性能 研究 单位 -
重大突破！清华大学集成电路学院团队首次实现亚 1nm 栅极长度晶体管：等效 0.34nm
感谢IT之家网友 肖战割割 的线索投递！IT之家 3 月 12 日消息，据清华大学官方宣布，近日，清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破，首次实现了具有亚 1 纳米栅极长
2022-05-06 晶体 晶体管 纳米 研究 栅极 大学 电路 集成电路 自然 清华 清华大学 器件 尺寸 电子 学院 性能 沟道 物理 石墨 结构 -
京东方氧化物半导体显示重要突破！展示 27 英寸 FHD 500Hz + 显示屏
IT之家 1 月 28 日消息，据京东方宣布，已在氧化物半导体显示技术领域取得重要突破，攻克了铜（Cu）易扩散、易氧化和易钻刻等业界难题，在业内率先实现铜互连堆叠结构的量产，及高刷新率、高分辨率、低功
2022-05-06 氧化 氧化物 技术 产品 京东 京东方 驱动 半导体 理论 显示屏 突破 器件 性能 界面 结构 问题 难题 业界 刷新率 功耗