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重大突破！清华大学集成电路学院团队首次实现亚 1nm 栅极长度晶体管：等效 0.34nm
感谢IT之家网友 肖战割割 的线索投递！IT之家 3 月 12 日消息，据清华大学官方宣布，近日，清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破，首次实现了具有亚 1 纳米栅极长
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产业链人士：三星电子 3nm 工艺研发仍面临技术难题
8 月 27 日消息，据国外媒体报道，上周曾有报道称，研究机构预计三星电子的 3nm 制程工艺，不太可能在 2023 年之前量产，量产的时间可能会晚于台积电的 3nm 工艺。而英文媒体最新的报道显示，
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复旦博士开发类视网膜传感器：将无人车视觉感光性能提升 1 万亿倍，已被华为收编
脱口秀演员搞自动驾驶？不但搞出了成果，还被 Nature 在研究亮点（RESEARCH HIGHLIGHT）专栏报道！香港理工大学博士后、深圳某脱口秀俱乐部现役演员廖付友年初八在《自然・电子》上以一作
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三星 3nm 芯片将于第二季度开始量产
IT之家 4 月 28 日消息，三星电子周四宣布，将在本季度 (即未来几周内) 开始使用 3GAE (早期 3nm 级栅极全能) 工艺进行大规模生产。这不仅标志着业界首创 3nm 级制造技术，也是首个
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三星：3 纳米 GAA 制程研发进度领先台积电，将尽早实现商业化
IT之家 8 月 26 日消息 据韩媒 BusinessKorea 报道，三星电子设备解决方案（DS）业务部首席技术官 Jeong Eun-seung 宣布，作为下一代代工微制造工艺的核心，全环绕栅极
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三星电子欲开发全球首个 3D DRAM，有望 2025 年问世
IT之家 1 月 19 日消息，据 BusinessKorea 报道，三星电子正在加快 3D DRAM 的研究和开发，这家半导体巨头已经开始加强相关团队建设，比如招聘人员。过去，DRAM 是通过将晶体
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解读英特尔芯片制造技术突破：互连密度增 10 倍以上，新工艺将逻辑微缩提升超 30%
12 月 14 日报道，今天，英特尔制造、供应链和营运集团副总裁兼战略规划部联席总经理卢东晖向芯东西等媒体详细解读了英特尔在今年 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上发布的 8 篇论文。这是英特尔
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后纳米级晶体管时代来临？一场“用尽元素周期表”的战争
芯东西 12 月 24 日报道，随着芯片制程演进愈加艰难，晶体管微缩正面临物理极限的天花板。但英特尔、东京电子等芯片供应链巨头已将制程路线图推进到埃米一级（1 Å=0.1nm=10^-10 m），甚至
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消息称 AMD 和高通将成为三星 3nm 制程首批客户
IT之家 11 月 18 日消息，根据媒体 DIGITIMES 报道，AMD 和高通或将成为三星 3nm 芯片制程工艺的首批客户。IT之家了解到，DIGITIMES 通过业内相关人士获悉，由于台积电和
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比亚迪半导体成功自主研发 1200V 功率器件驱动芯片 BF1181，12 月实现批量供货
IT之家 12 月 14 日消息，比亚迪半导体近期基于先前研发成果的基础上，成功自主研发并量产 1200V 功率器件驱动芯片 --BF1181，今年 12 月实现向各大厂商批量供货。▲ 1200V 功
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计划明年 6 月量产，消息称三星已确保 3nm 工艺良品率稳定
10 月 8 日消息，据国外媒体报道，5nm 芯片制程工艺已顺利量产的台积电和三星电子，都在全力推进 3nm 工艺的量产事宜，以便占得先机，进而获得更多的代工订单。而韩国媒体最新的报道显示，三星电子已
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中科院在 OLET 核心高迁移率发光有机半导体材料制备方面取得进展
中国科学院化学研究所有机固体实验室董焕丽课题组在 OLET（有机发光场效应晶体管）核心高迁移率发光有机半导体材料的制备方面取得了进展。中国科学院消息显示，科研人员针对传统垂直 OLET 器件工艺复杂、
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三星电子将扩大传统节点的代工产能
IT之家 3 月 14 日消息，Businesskorea 称，三星电子将从今年开始扩大其传统节点的代工能力。此举旨在通过提高 CMOS 图像传感器（CIS）等项目的成熟工艺的产能来吸引新客户并提高利
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仍要晚于台积电：机构称三星 3nm 工艺不太可能在 2023 年前量产
8 月 18 日消息，据国外媒体报道，今年 6 月底外媒在报道中称，三星电子寄予厚望的 3nm 芯片制程工艺，已经顺利流片，距离量产又更近了一步。但英文媒体在最新的报道中表示，研究机构预计采用全环绕栅
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台积电：3nm 工艺相比 5nm 密度提升 1.7 倍，功耗降低 25-30%
IT之家 12 月 25 日消息，根据芯智讯报道，中国集成电路设计业 2021 年会暨无锡集成电路产业创新发展高峰论坛于 12 月 22 日举办。台积电（南京）有限公司总经理罗镇球做了主题为《半导体产
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美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 QLC NAND
1 月 25 日，美光科技发文称，已批量出货全球首款 176 层 QLC (四层单元) NAND 固态硬盘 (SSD)。据了解，美光 176 层 QLC NAND 采用最先进的 NAND 架构，具备业
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三星宣布 3 纳米制造技术推迟到明年上市
10 月 7 日消息，当地时间周三三星电子宣布公司新一代 3 纳米芯片制造技术将推迟到 2022 年上市，同时称更先进的 2 纳米芯片制造技术将在 2025 年问世。三星曾计划于今年开始用 3 纳米制
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英特尔 Ann Kelleher：摩尔定律本质是创新，创新将永不止步
1965 年，英特尔的联合创始人戈登・摩尔预测，单个芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番，而成本只会有极小的增加。该预测被称为摩尔定律，如图 1 所示。单个设备上的晶体管或组件越多，在单个设备性能提升的
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自制简易版光刻机！22 岁小伙在车库里造出芯片
距离贝尔实验室大约 30 英里的一间车库里，有一个 22 岁的小伙正在追赶芯片制造巨头。上世纪 70 年代，芯片制造巨头英特尔研发了世界上第一款商用计算机微处理器 4004。2021 年 8 月，山姆
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英特尔公布突破摩尔定律新技术：多芯片封装互联密度提升十倍，二维材料引入芯片
IT之家 12 月 12 日消息，根据外媒 VideoCardz 报道，英特尔今日发表文章，公布了突破摩尔定律的三种新技术。这些技术的目标是在 2025 年之后，还能够使得芯片技术继续发展。在 202
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